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参数资料
| 型号： | CMPTA14E |
| 厂商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 中文描述： | 500 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 327K |
| 代理商： | CMPTA14E |
CMPTA14E
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT NPN
SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTA14E is an
Enhanced version of the CMPTA14 NPN Darlington
Transistor. This device is manufactured by the epitaxial
planar process, epoxy molded in a surface mount
SOT-23 package, designed for applications requiring
extremely high gain.
MARKING CODE: C1NE
FEATURED ENHANCED SPECIFICATIONS:
BVCBO from 30V min to 40V min.
VCE(SAT) from 1.5V max to 1.0V max.
h
FE from 10K min to 30K min.
Enhanced specification
Additional Enhanced specification
MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C)
SYMBOL
UNITS
Collector-Base Voltage
VCBO
40
V
Collector-Emitter Voltage
VCES
40
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
10
V
Continuous Collector Current
IC
500
mA
Power Dissipation
PD
350
mW
Operating and Storage Junction Temperature
TJ, Tstg
-65 to +150
°C
Thermal Resistance
ΘJA
357
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
ICBO
VCB=40V
100
nA
IEBO
VEB=10V
100
nA
BVCES
IC=100A
40
60
V
VCE(SAT)
IC=100mA, IB=0.1mA
0.75
1.0
V
VBE(ON)
VCE=5.0V, IC=100mA
2.0
V
hFE
VCE=5.0V, IC=10mA
30,000
70,000
hFE
VCE=5.0V, IC=100mA
40,000
75,000
hFE
VCE=5.0V, IC=500mA
10,000
35,000
fT
VCE=5.0V, IC=10mA, f=100MHz
125
MHz
SOT-23 CASE
R5 (1-February 2010)
www.centra lsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CMRA6045-10 | |
| CMRD6045-10 | |
| CMRD6065-10 | |
| CMRA6065-10 | |
| CMRD6055-10 | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CMPTA27 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR |
| CMPTA27 TR | 功能描述:TRANS NPN 60V 0.5A SOT23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 100μA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:125MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 |
| CMPTA29 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:HIGH VOLTAGE NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR |
| CMPTA29 TR | 功能描述:达林顿晶体管 NPN 100V 500mA C29 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| CMPTA29_10 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR |
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