参数资料
型号: CMPTA56TR
厂商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: 小信号晶体管
中文描述: 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件页数: 1/2页
文件大小: 31K
代理商: CMPTA56TR
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PDF描述
CMPTA06TR
CMPTA92
CMRA2455-10
CMRD2455-10
CMRA2465-10
相关代理商/技术参数
参数描述
CMPTA63 功能描述:达林顿晶体管 PNP Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
CMPTA64 功能描述:达林顿晶体管 PNP Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
CMPTA64 TR 功能描述:TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 100μA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20000 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:125MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1
CMPTA77 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:SURFACE MOUNT PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
CMPTA77_10 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:SURFACE MOUNT PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTOR