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参数资料
| 型号： | CMPTA64 |
| 厂商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | complementary silicon darlington transistors |
| 中文描述： | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 321K |
| 代理商： | CMPTA64 |
CMPTA13
CMPTA14 NPN
CMPTA63
CMPTA64 PNP
SURFACE MOUNT
COMPLEMENTARY SILICON
DARLINGTON TRANSISTORS
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTA13 and
CMPTA63 series are complementary silicon darlington
transistors manufactured by the epitaxial planar
process, epoxy molded in a surface mount package,
designed for applications requiring extremely high gain.
MARKING CODES: CMPTA13: C1M
CMPTA14: C1N
CMPTA63: C2U
CMPTA64: C2V
MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C)
SYMBOL
UNITS
Collector-Base Voltage
VCBO
30
V
Collector-Emitter Voltage
VCES
30
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
10
V
Continuous Collector Current
IC
500
mA
Power Dissipation
PD
350
mW
Operating and Storage Junction Temperature
TJ, Tstg
-65 to +150
°C
Thermal Resistance
ΘJA
357
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
UNITS
ICBO
VCB=30V
100
nA
IEBO
VBE=10V
100
nA
BVCES
IC=100A
30
V
VCE(SAT)
IC=100mA, IB=0.1mA
1.5
V
VBE(ON)
VCE=5.0V, IC=100mA
2.0
V
hFE
VCE=5.0V, IC=10mA (CMPTA13, CMPTA63)
5,000
hFE
VCE=5.0V, IC=10mA (CMPTA14, CMPTA64)
10,000
hFE
VCE=5.0V, IC=100mA (CMPTA13, CMPTA63)
10,000
hFE
VCE=5.0V, IC=100mA (CMPTA14, CMPTA64)
20,000
fT
VCE=5.0V, IC=10mA, f=100MHz
125
MHz
SOT-23 CASE
R5 (1-February 2010)
www.centra lsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CMPZ5236C | 7.5 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
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| CMPZDC20VBK | 20 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| CMPZDC9V1 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| CMPTA77 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:SURFACE MOUNT PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTOR |
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| CMPTA92 T&R 3000 PCS | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Gen Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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