参数资料
型号: CMXT2207
厂商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: 小信号晶体管
中文描述: 600 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: SUPERMINI-6
文件页数: 1/1页
文件大小: 82K
代理商: CMXT2207
CentralTM
Semiconductor Corp.
www .centralsemi.com
Dual Small Signal Transistors
SOT-26 Case, 350mW
TYPE NO.
DESCRIPTION BVCBO
(V)
MIN
BVCEO
(V)
MIN
BVEBO
(V)
MIN
ICBO @ VCB
*ICEV @ VCE
(nA)
(V)
MAX
hFE @ VCE @ IC
(V) (mA)
MIN MAX
VCE(SAT) @ IC
(V)
(mA)
MAX
Cob
(pF)
MAX
fT
(MHz)
MIN
NF
(dB)
MAX
toff
(ns)
MAX
CMXT2222A
CMXT2907A
CMXT2207
2 x 2222A
NPN Transistors
2 x 2907A
PNP Transistors
1 x 2222A
NPN Transistor
1 x 2907A
PNP Transistor
75
60
75
60
40
60
40
60
6.0
5.0
6.0
5.0
10
60
10
50
10
60
10
50
100
300
10
150
100
300
10
150
100
300
10
150
100
300
10
150
1.0
1.6
1.0
1.6
500
8.0
300
200
300
200
4.0
-
4.0
-
285
100
285
100
CMXT3904
CMXT3906
CMXT3946
2 x 3904
NPN Transistors
2 x 3906
PNP Transistors
1 x 3904
NPN Transistors
1 x 3906
PNP Transistors
60
40
60
40
6.0
5.0
6.0
5.0
50*
30
50*
30
50*
30
50*
30
100
300 1.0
10
100
300 1.0
10
100
300 1.0
10
100
300 1.0
10
0.3
50
0.4
50
0.3
50
0.4
50
4.0
4.5
4.0
4.5
300
250
300
250
5.0
4.0
5.0
4.0
250
300
250
300
General Purpose Amplifiers/Switches
Small Signal Transistors
SOT-323 Case, 250mW
PNP
General Purpose Amplifiers/Switches Devices are listed in order of descending breakdown voltage.
NPN
PNP
Low Noise Amplifiers Devices are listed in order of ascending NF.
NPN
TYPE NO.
BVCBO
(V)
MIN
BVCEO
(V)
MIN
BVEBO
(V)
MIN
ICBO @ VCB
*ICEV @ VCE
(nA)
(V)
MAX
hFE
@ VCE
@ IC
(V)
(mA)
MIN
MAX
VCE(SAT) @ IC
(V)
(mA)
MAX
Cob
(pF)
MAX
fT
(MHz)
MIN
NF
(dB)
MAX
toff
(ns)
MAX
CMST2222A
CMST3904
75
60
40
6.0
10
50*
60
30
100
300
10
1.0
150
10
1.0
0.3
500
50
8.0
4.0
300
4.0
5.0
285
250
CMST2907A
CMST3906
60
40
60
40
5.0
10
50*
50
30
100
300
10
1.0
150
10
1.6
0.4
500
50
8.0
4.5
200
250
-
4.0
100
300
CMST5089
CMST5088
30
35
25
30
4.5
50
15
20
400
300
1,200
900
5.0
0.1
0.5
10
4.0
50
2.0
3.0
-
CMST5087
CMST5086
50
3.0
50
35
250
150
800
500
5.0
0.1
0.3
10
4.0
40
2.0
3.0
-
38%
Smaller than
SOT-23
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参数描述
CMXT2207 TR 功能描述:TRANS NPN/PNP 600MA SOT26 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN,PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):600mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V,60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 50mA,500mA / 1.6V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:300MHz,200MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-26 标准包装:1
CMXT2207_10 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:SURFACE MOUNT DUAL COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
CMXT2222A 功能描述:两极晶体管 - BJT Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
CMXT2222A TR 功能描述:TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT26 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:* 零件状态:有效 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):600mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-26 标准包装:1
CMXT2222A_10 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:SURFACE MOUNT DUAL NPN SILICON TRANSISTORS