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参数资料
| 型号： | CN645 |
| 厂商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 中文描述： | 0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 封装： | DO-41SP, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | CN645 |
CN645 SERIES
GLASS PASSIVATED, GENERAL PURPOSE DIODE
DO-41SP PACKAGE - MECHANICAL OUTLINE
C
B
D
A
R1
MIN
MAX
MIN
MAX
A
0.021
0.025
0.53
0.64
B
0.160
0.205
4.06
5.21
C
0.080
0.107
2.03
2.72
D
1.000
-
25.40
-
DO-41SP (REV: R1)
DIMENSIONS
SYMBOL
INCHES
MILLIMETERS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CNW135 | |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CN645 BK | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Leaded Silicon Diode General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| CN645 TR | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Leaded Silicon Diode General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| CN646 BK | 功能描述:Diode Standard 300V 400mA Through Hole DO-41 制造商:central semiconductor corp 标准包装:2,000 |
| CN646 TR | 功能描述:Diode Standard 300V 400mA Through Hole DO-41 制造商:central semiconductor corp 标准包装:5,000 |
| CN647 BK | 功能描述:Diode Standard 400V 400mA Through Hole DO-41 制造商:central semiconductor corp 标准包装:2,000 |
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