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参数资料
型号： CNY117
厂商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Optocoupler, Phototransistor Output, With Base Connection, 110 Degrees Celcious Rated
中文描述： 光耦，光电晶体管输出，基地连接，110度Celcious额定
文件页数： 3/9页
文件大小： 166K
代理商： CNY117
CNY117
Document Number 83876
Rev. 1.4, 10-Jan-05
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
3
Electrical Characteristics
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Minimum and maximum values are testing requirements. Typical values are characteristics of the device and are the result of engineering
evaluation. Typical values are for information only and are not part of the testing requirements.
Input
Output
Coupler
Current Transfer Ratio
Current Transfer Ratio IC/IF at VCE = 5.0 V, 25 °C and Collector-Emitter Leakage Current by dash number
Parameter
Test condition
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Forward voltage
IF = 60 mA
VF
1.25
1.65
V
Breakdown voltage
IR = 10 AVBR
6.0
V
Reserve current
VR = 6.0 V
IR
0.01
10
A
Capacitance
VR = 0 V, f = 1.0 MHz
CO
25
pF
Parameter
Test condition
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Collector-emitter capacitance
VCE = 5.0 V, f = 1.0 MHz
CCE
5.2
pF
Base - collector capacitance
VCE = 5.0 V, f = 1.0 MHz
CBC
6.5
pF
Emitter - base capacitance
VCE = 5.0 V, f = 1.0 MHz
CEB
7.5
pF
Parameter
Test condition
Part
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Saturation voltage, collector-
emitter
IF = 10 mA, IC = 2.5 mA
VCEsat
0.25
0.4
V
Coupling capacitance
CC
0.6
pF
Collector-emitter leakage
current
VCE = 10 V
CNY117-1
ICEO
2.0
50
nA
CNY117-2
ICEO
2.0
50
nA
CNY117-3
ICEO
5.0
100
nA
CNY117-4
ICEO
5.0
100
nA
Parameter
Test condition
Part
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Current Transfer Ratio
IF = 10 mA
CNY117-1
CTR
40
80
%
CNY117-2
CTR
63
125
%
CNY117-3
CTR
100
200
%
CNY117-4
CTR
160
320
%
IF = 1.0 mA
CNY117-1
CTR
13
30
%
CNY117-2
CTR
22
45
%
CNY117-3
CTR
34
70
%
CNY117-4
CTR
56
90
%
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PDF描述
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参数描述
CNY117-1 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR 40-80% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
CNY117-1X001 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR 40-80% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
CNY117-1X006 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR 40-80% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
CNY117-1X007T 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR 40-80% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
CNY117-1X016 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR 40-80% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
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