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参数资料
| 型号： | CNY17-1V-M |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 光电耦合器 |
| 英文描述： | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 封装： | DIP-6 |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 271K |
| 代理商： | CNY17-1V-M |
2006 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
CNY17XM, CNY17FXM, MOC810XM Rev. 1.1.1
3
CNY17XM,
CNY17FXM,
MOC810XM
—
Phototransistor
Optocoupler
s
Electrical Characteristics (T
A = 25°C Unless otherwise specied.)
(1)
Individual Component Characteristics
Isolation Characteristics
Transfer Characteristics (TA = 25°C Unless otherwise specied.)
(3)
*All typicals at TA = 25°C
Symbol
Parameters
Test Conditions
Device
Min.
Typ.
Max.
Units
EMITTER
VF
Input Forward Voltage
IF = 60mA
CNY17XM,
CNY17FXM
1.0
1.35
1.65
V
IF = 10mA
MOC810XM
1.0
1.15
1.50
CJ
Capacitance
VF = 0 V, f = 1.0MHz
All
18
pF
IR
Reverse Leakage
Current
VR = 6V
All
0.001
10
A
DETECTOR
BVCEO
Breakdown Voltage
Collector to Emitter
IC = 1.0mA, IF = 0
All
70
100
V
BVCBO
Collector to Base
IC = 10A, IF = 0
CNY171M/2M/3M/4M
70
120
BVECO
Emitter to Collector
IE = 100A, IF = 0
All
7
10
ICEO
Leakage Current
Collector to Emitter
VCE = 10 V, IF = 0
All
1
50
nA
ICBO
Collector to Base
VCB = 10 V, IF = 0
CNY171M/2M/3M/4M
20
nA
CCE
Capacitance
Collector to Emitter
VCE = 0, f = 1MHz
All
8
pF
CCB
Collector to Base
VCB = 0, f = 1MHz
CNY171M/2M/3M/4M
20
pF
CEB
Emitter to Base
VEB = 0, f = 1MHz
CNY171M/2M/3M/4M
10
pF
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min.
Typ.*
Max.
Units
VISO
Input-Output Isolation Voltage
f = 60 Hz, t = 1 sec.,
II-O ≤ 2A
(4)
7500
Vac(pk)
RISO
Isolation Resistance
VI-O = 500 VDC
(4)
1011
CISO
Isolation Capacitance
VI-O = , f = 1MHz
(4)
0.2
pF
Symbol
DC Characteristics
Test Conditions
Min.
Typ.* Max. Units
COUPLED
(CTR)(2) Output Collector
Current
MOC8106M
IF = 10mA, VCE = 10V
50
150
%
MOC8107M
100
300
CNY17F1M
IF = 10mA, VCE = 5V
40
80
CNY17F2M
63
125
CNY17F3M
100
200
CNY17F4M
160
320
CNY171M
40
80
CNY172M
63
125
CNY173M
100
200
CNY174M
160
320
VCE(sat) Collector-Emitter
Saturation Voltage
CNY17XM/FXM
IC = 2.5mA, IF = 10mA
0.4
V
MOC8106M/7M
IC = 500A, IF = 5.0mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CNY17-2S-M | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| CNY17-2TV-M | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| CNY17-2V-M | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| CNY17-3V-M | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| CNY17-4-M | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CNY171W | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Hi Bvceo Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| CNY17-1W | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Phototransistor Optocouplers |
| CNY17-1-W00E | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 5000 Vrms 0.3mA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| CNY17-1-W00E | 制造商:Avago Technologies 功能描述:OPTOCOuPLER OPTOCOuPLER OuTPuT TyPE:TRAN |
| CNY17-1-W60E | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 5000 Vrms 0.3mA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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