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参数资料
| 型号： | CNY17F2SR2M |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOCOUPLER PHOTOTRANS 6-SMD |
| 标准包装： | 1,000 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 7500Vpk |
| 电流传输比（最小值）： | 63% @ 10mA |
| 电流传输比（最大）： | 125% @ 10mA |
| 输出电压： | 70V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 50mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 60mA |
| Vce饱和（最大）： | 400mV |
| 输出类型： | 晶体管 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Electrical Characteristics
(Continued) (T A = 25°C Unless otherwise speci?ed.) (1)
Transfer Characteristics (Continued) (3)
Symbol
AC Characteristics (4)
Test Conditions
Min. Typ.* Max. Units
NON-SATURATED SWITCHING TIME
t on
t off
Turn-On Time
Turn-Off Time
All Devices
All Devices
I C = 2.0mA, V CC = 10V, R L = 100 ?
I C = 2.0mA, V CC = 10V, R L = 100 ?
2
3
10
10
μs
μs
t d
t r
Delay Time
Rise Time
CNY17XM/XFM
All Devices
I F = 10mA, V CC = 5V, R L = 75 ?
I C = 2.0mA, V CC = 10V, R L = 100 ?
1
5.6
μs
μs
CNY17XM/FXM
I F = 10mA, V CC = 5V, R L = 75 ?
4.0
t s
t f
Storage Time
Fall Time
CNY17XM/FXM
All Devices
I F = 10mA, V CC = 5V, R L = 75 ?
I C = 2.0mA, V CC = 10V, R L = 100 ?
2
4.1
μs
μs
CNY17XM/FXM
SATURATED SWITCHING TIMES
I F = 10mA, V CC = 5V, R L = 75 ?
3.5
t on
Turn-on Time
CNY171M/F1M
I F = 20mA, V CC = 5V, R L = 1k ?
5.5
μs
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
I F = 10mA, V CC = 5V, R L = 1k ?
8.0
t r
Rise Time
CNY171M/F1M
I F = 20mA, V CC = 5V, R L = 1k ?
4.0
μs
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
I F = 10mA, V CC = 5V, R L = 1k ?
6.0
t d
Delay Time
CNY171M/F1M
I F = 20mA, V CC = 5V, R L = 1k ?
5.5
μs
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
I F = 10mA, V CC = 5V, R L = 1k ?
8.0
t off
Turn-off Time
CNY171M/F1M
I F = 20mA, V CE = 0.4V
34
μs
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
I F = 10mA, V CE = 0.4V
39
t f
Fall Time
CNY171M/F1M
I F = 20mA, V CC = 5V, R L = 1k ?
20.0
μs
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
I F = 10mA, V CC = 5V, R L = 1k ?
24.0
t s
Storage Time
CNY171M/F1M
I F = 20mA, V CC = 5V, R L = 1k ?
34.0
μs
*All typicals at T A = 25°C
Notes:
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
I F = 10mA, V CC = 5V, R L = 1k ?
39.0
1.
2.
3.
4.
Always design to the specified minimum/maximum electrical limits (where applicable).
Current Transfer Ratio (CTR) = I C /I F x 100%.
For test circuit setup and waveforms, refer to Figures 10 and 11.
For this test, Pins 1 and 2 are common, and Pins 4 are 5 are common.
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
CNY17XM, CNY17FXM, MOC810XM Rev. 1.1.1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P50L-020P-RR5-DA | CONN PLUG 20POS R/A .050" GOL |
| CNY17F2SVM | OPTOCOUPLER PHOTOTRANS VDE 6-SMD |
| G5NB-1A4 DC5 | RELAY GENERAL PURPOSE SPST 3A 5V |
| P50L-020P-RR4-DA | CONN PLUG 20POS R/A .050" GOL |
| P50L-020P-RR3-DA | CONN PLUG 20POS R/A .050" GOL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CNY17F2SR2M_F132 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out No Base Connection RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| CNY17F2SR2VM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Phototrans No Base RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| CNY17F-2S-TA | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 HCEV, 63%, 5KV RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| CNY17F-2S-TA1 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 HCEV, 63%, 5KV RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| CNY17F2SVM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Phototrans No Base RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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