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参数资料
| 型号： | CNY17F3SD |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 光电耦合器 |
| 中文描述： | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 封装： | SURFACE MOUNT, DIP-6 |
| 文件页数： | 10/18页 |
| 文件大小： | 725K |
| 代理商： | CNY17F3SD |
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Qualification Support
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0122085 (677 K)
SEMKO
P01101067 (1638 K)
NEMKO
310684-02 (623 K)
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94766 (1673 K)
VDE
VDE Pruf-und Zertifizierungsinstitut
P98102918 (138 K)
NEMKO
Product
MOC8102
MOC8102300
MOC8102300W
MOC81023S
MOC81023SD
MOC81023SDL
MOC8102S
MOC8102SD
MOC8102W
2007 Fairchild Semiconductor
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Product Folder - Fairchild P/N MOC8102 - 6-Pin DIP Phototransistor Output Optocoupler- No Base Connection
18-Aug-2007
mhtml:file://C:\TEMP\MOC81023SDL.mht
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CNY17F2300W | |
| CNY17F3300W | |
| CNY17F33SD | |
| CNY17F4300W | |
| CNY17F2300 | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CNY17F-3SD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:6-PIN DIP OPTOCOUPLERS FOR POWER SUPPLY APPLICATIONS |
| CNY17F3SM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Phototrans No Base RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| CNY17F3SR2M | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Phototrans No Base RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| CNY17F3SR2M_F132 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out No Base Connection RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| CNY17F3SR2VM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Phototrans No Base RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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