参数资料
| 型号： | COP8CBR9HLQ8 |
| 厂商： | National Semiconductor |
| 文件页数： | 17/111页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU CMOS 8BIT 44LLP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | COP8™ 8C |
| 核心处理器： | COP8 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 20MHz |
| 连通性： | Microwire/Plus（SPI），UART/USART |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 37 |
| 程序存储器容量： | 32KB（32K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 1K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 16x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 44-WFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *COP8CBR9HLQ8 COP8CBR9HLQ8CT |
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SNOS535I – OCTOBER 2000 – REVISED MARCH 2013
3.3
Electrical Characteristics AC Electrical Characteristics (
40°C ≤ T
A ≤ +85°C)
Datasheet min/max specification limits are ensured by design, test, or statistical analysis.
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Instruction Cycle Time (tC)
(1)
Crystal/Resonator
4.5V
≤ VCC ≤ 5.5V
0.5
DC
μs
2.7V
≤ VCC < 4.5V
1.5
DC
μs
Flash Memory Page Erase Time
See Table 5-12, Typical Flash
1
ms
Memory Endurance
Flash Memory Mass Erase Time
8
ms
Frequency of MICROWIRE/PLUS in Slave Mode
2
MHz
MICROWIRE/PLUS Setup Time (tUWS)
20
ns
MICROWIRE/PLUS Hold Time (tUWH)
20
ns
MICROWIRE/PLUS Output Propagation Delay (tUPD)
150
ns
Input Pulse Width
Interrupt Input High Time
1
tC
Interrupt Input Low Time
1
tC
Timer 1 Input High Time
1
tC
Timer 1 Input Low Time
1
tC
Timer 2, 3 Input High Time(2)
1
MCLK or tC
Timer 2, 3 Input Low Time(2)
1
MCLK or tC
Output Pulse Width
Timer 2, 3 Output High Time
150
ns
Timer 2, 3 Output Low Time
150
ns
USART Bit Time when using External CKX
6 CKI
periods
USART CKX Frequency when being
2
MHz
Driven by Internal Baud Rate Generator
Reset Pulse Width
1
tC
(1)
tC = instruction cycle time.
(2)
If timer is in high speed mode, the minimum time is 1 MCLK. If timer is not in high speed mode, the minimum time is 1 tC.
3.4
A/D Converter Electrical Characteristics (
40°C ≤ T
A ≤ +85°C unless otherwise noted)
(Single-ended mode only)
Datasheet min/max specification limits are ensured by design, test, or statistical analysis.
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Resolution
10
Bits
DNL
VCC = 5V
±1
LSB
DNL
VCC = 3V,20°C ≤ TA ≤
±1
LSB
+85°C
INL
VCC = 5V
±3
LSB
INL
VCC = 3V,20°C ≤ TA ≤
±4
LSB
+85°C
Offset Error
VCC = 5V
+2.5,
1
LSB
Offset Error
VCC = 3V,20°C ≤ TA ≤
±2.5
LSB
+85°C
Gain Error
VCC = 5V
+0.5,
2.5
LSB
Gain Error
VCC = 3V,20°C ≤ TA ≤
±2.5
LSB
+85°C
Input Voltage Range
2.7V
≤ VCC < 5.5V
0
VCC
V
Analog Input Leakage Current
0.5
A
Analog Input Resistance(1)
6k
(1)
Resistance between the device input and the internal sample and hold capacitance.
Copyright 2000–2013, Texas Instruments Incorporated
Electrical Specifications
13
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