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参数资料
| 型号： | COP8CDR9KMT8 |
| 厂商： | National Semiconductor |
| 文件页数： | 19/111页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU EEPROM 8BIT 32K 56-TSSOP |
| 标准包装： | 34 |
| 系列： | COP8™ 8C |
| 核心处理器： | COP8 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 20MHz |
| 连通性： | Microwire/Plus（SPI），UART/USART |
| 外围设备： | POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 49 |
| 程序存储器容量： | 32KB（32K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 1K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 16x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 56-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *COP8CDR9KMT8 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页当前第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页
SNOS535I – OCTOBER 2000 – REVISED MARCH 2013
DC Electrical Characteristics (
40°C ≤ TA ≤ +125°C) (continued)
Datasheet min/max specification limits are ensured by design, test, or statistical analysis.
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Internal Bias Resistor for the CKI
0.3
1.0
2.5
M
Crystal/Resonator Oscillator
Hi-Z Input Leakage
VCC = 5.5V
3
+3
μA
Input Pullup Current
VCC = 5.5V, VIN = 0V
40
250
μA
Port Input Hysteresis
0.25 VCC
V
Output Current Levels
D Outputs
Source
VCC = 4.5V, VOH = 3.8V
6.3
mA
Sink(4)
VCC = 4.5V, VOL = 1.0V
9
mA
All Others
Source (Weak Pull-Up Mode)
VCC = 4.5V, VOH = 3.8V
9
μA
Source (Push-Pull Mode)
VCC = 4.5V, VOH = 3.8V
6.3
mA
Sink (Push-Pull Mode)(4)
VCC = 4.5V, VOL = 1.0V
9
mA
TRI-STATE Leakage
VCC = 5.5V
3
+3
μA
Allowable Sink Current per Pin
1
mA
Maximum Input Current without Latchup(5)
±200
mA
RAM Retention Voltage, VR (in HALT Mode)
2.0
V
Input Capacitance
7
pF
Load Capacitance on D2
1000
pF
Voltage on G6 to Force Execution from Boot ROM(6)
G6 rise time must be slower than
2 x VCC
VCC + 7
V
100 ns
G6 Rise Time to Force Execution from Boot ROM
100
nS
Input Current on G6 when Input > VCC
VIN = 11V, VCC = 5.5V
500
μA
(4)
Absolute Maximum Ratings should not be exceeded.
(5)
Pins G6 and RESET are designed with a high voltage input network. These pins allow input voltages > VCC and the pins will have sink
current to VCC when biased at voltages > VCC (the pins do not have source current when biased at a voltage below VCC). These two
pins will not latch up. The voltage at the pins must be limited to < (VCC + 7V. WARNING: Voltages in excess of 14V will cause
damage to the pins. This warning excludes ESD transients.
(6)
Vcc must be valid and stable before G6 is raised to a high voltage.
3.6
AC Electrical Characteristics (
40°C ≤ T
A ≤ +125°C)
Datasheet min/max specification limits are ensured by design, test, or statistical analysis.
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Instruction Cycle Time (tC)
Crystal/Resonator(1)
4.5V
≤ VCC ≤ 5.5V
0.5
DC
μs
Output Propagation Delay
RL =2.2k, CL = 100 pF
Frequency of MICROWIRE/PLUS in Slave Mode
2
MHz
MICROWIRE/PLUS Setup Time (tUWS)
20
ns
MICROWIRE/PLUS Hold Time (tUWH)
20
ns
MICROWIRE/PLUS Output Propagation Delay (tUPD)
150
ns
Input Pulse Width
Interrupt Input High Time
1
tC
Interrupt Input Low Time
1
tC
Timer 1 Input High Time
1
tC
Timer 1 Input Low Time
1
tC
Timer 2, 3 Input High Time(2)
1
MCLK or tC
Timer 2, 3 Input Low Time(2)
1
MCLK or tC
(1)
tC = instruction cycle time.
(2)
If timer is in high speed mode, the minimum time is 1 MCLK. If timer is not in high speed mode, the minimum time is 1 tC.
Copyright 2000–2013, Texas Instruments Incorporated
Electrical Specifications
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PDF描述 |
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