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参数资料
| 型号： | COP8SGE740N3 |
| 厂商： | National Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | LP2950/LP2951 Series of Adjustable Micropower Voltage Regulators; Package: TO-252; No of Pins: 3 |
| 中文描述： | 8位的CMOS基于ROM和OTP微控制器具有8K到32K的内存，2个比较器和USART |
| 文件页数： | 10/62页 |
| 文件大小： | 913K |
| 代理商： | COP8SGE740N3 |
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Absolute Maximum Ratings
If Military/Aerospace specified devices are required,
please contact the National Semiconductor Sales Office/
Distributors for availability and specifications.
(Note 2)
Supply Voltage (V
CC
)
Voltage at Any Pin
Total Current into V
CC
Pin (Source)
Total Current out of
GND Pin (Sink)
7V
0.3V to V
CC
+0.3V
100 mA
110 mA
Storage Temperature
Range
ESD Protection Level
65C to +140C
2kV (Human Body
Model)
Note 15:
Absolute maximum ratings indicate limits beyond which damage to
the device may occur. DC and AC electrical specifications are not ensured
when operating the device at absolute maximum ratings.
DC Electrical Characteristics
40C
≤
T
A
≤
+125C unless otherwise specified.
Parameter
Operating Voltage
Power Supply Rise Time
V
CC
Start Voltage to Guarantee POR
Power Supply Ripple (Note 4)
Supply Current (Note 5)
CKI = 10 MHz
CKI = 4 MHz
HALT Current (Note 6)
IDLE Current (Note 5)
CKI = 10 MHz
CKI = 4 MHz
Input Levels (V
IH
, V
IL
)
RESET
Logic High
Logic Low
CKI, All Other Inputs
Logic High
Logic Low
Internal Bias Resistor for the
Crystal/Resonator Oscillator
CKI Resistance to V
CC
or GND when R/C
Oscillator is selected
Hi-Z Input Leakage
Input Pullup Current
G and L Port Input Hysteresis
Output Current Levels
D Outputs
Source
Sink
All Others
Source (Weak Pull-Up Mode)
Source (Push-Pull Mode)
Sink (Push-Pull Mode)
TRI-STATE Leakage
Allowable Sink Current per Pin (Note 9)
D Outputs and L0 to L3
All Others
Conditions
Min
4.5
10
0
Typ
Max
5.5
50 x 10
6
0.25
0.1 V
cc
Units
V
ns
V
V
Peak-to-Peak
V
CC
= 5.5V, t
C
= 1 μs
V
CC
= 4.5V, t
C
= 2.5 μs
V
CC
= 5.5V, CKI = 0 MHz
6.0
2.1
10
mA
mA
μA
<
4
V
CC
= 5.5V, t
C
= 1 μs
V
CC
= 4.5V, t
C
= 2.5 μs
1.5
0.8
mA
mA
0.8 V
cc
V
V
0.2 V
cc
0.7 V
cc
V
V
0.2 V
cc
2
0.5
1
M
V
CC
= 5.5V
5
8
11
k
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V
V
CC
= 5.5V
5
35
+5
400
μA
μA
V
0.25 V
cc
V
CC
= 4.5V, V
OH
= 3.3V
V
CC
= 4.5V, V
OL
= 1.0V
0.4
9
mA
mA
V
CC
= 4.5V, V
OH
= 2.7V
V
CC
= 4.5V, V
OH
= 3.3V
V
CC
= 4.5V, V
OL
= 0.4V
V
CC
= 5.5V
9
0.4
1.4
5
140
μA
mA
mA
μA
+5
15
15
3
mA
mA
3
C
www.national.com
10
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| COP8SGE744V8/NOPB | 功能描述:8位微控制器 -MCU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| COP8SGE7HLQ8 | 功能描述:IC MCU OTP 8BIT 8K 2-COMP 44LLP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:COP8™ 8SG 标准包装:250 系列:56F8xxx 核心处理器:56800E 芯体尺寸:16-位 速度:60MHz 连通性:CAN，SCI，SPI 外围设备:POR，PWM，温度传感器，WDT 输入/输出数:21 程序存储器容量:40KB（20K x 16） 程序存储器类型:闪存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 6x12b 振荡器型:内部 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:48-LQFP 包装:托盘 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323 |
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