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参数资料
| 型号： | CPDQR12V0U |
| 厂商： | Comchip Technology |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD UNIDIR 1CH 12V 0402 |
| 产品培训模块： | Flat Chip Diodes |
| 产品目录绘图： | CPD Series Circuit |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 12V |
| 电压 - 击穿： | 13.3V |
| 功率（瓦特）： | 120W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 0402（1005 公制） |
| 供应商设备封装： | 402 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1574 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 641-1408-6 |
SMD ESD Protection Diode
CPDQR12V0U
RoHS Device
Features
- Uni-diretional ESD protection.
- Surface mount package.
SMD Diode Specialist
Comchip
0402/SOD-923F
0.041(1.05)
0.037(0.95)
- Ultra small SMD package:0402.
0.026(0.65)
- High component density.
Mechanical data
- Case: 0402/SOD-923F standard package,
molded plastic.
- Terminals: Gold plated, solderable per
MIL-STD-750,method 2026.
- Marking Code: Cathode band & E2
- Mounting position: Any.
- Weight: 0.001 gram(approx.).
0.012(0.30) Typ.
0.020(0.50) Typ.
0.022(0.55)
0.022(0.55)
0.018(0.45)
(at T A =25 C unless otherwise noted)
Dimensions in inches and (millimeter)
Maximum Rating AND Electrical Characteristics
O
Parameter
Conditions
Symbol Min Typ Max Unit
Forward voltage
I F = 10mA
V F
0.8
V
Diode breakdown voltage
Leakage current
Junction capacitance
ESD capability
Clamping voltage
I R = 1mA
V R = 12V
V R = 0V,f = 1MHz
IEC 61000-4-2(air)
IEC 61000-4-2(contact)
I PP = 1A,T P =8/20us
I PP = 5A,T P =8/20us
V BD
I L
C T
ESD
V C
13.3
15.5
0.1
17.5
1.0
60
30
19
24
V
uA
pF
kV
V
C
Peak pulse power
Operation temperature
P PP
T J
120
125
W
O
C
Storage temperature
T STG
-55
150
O
REV:A
QW-A7023
Comchip Technology CO., LTD.
Page 1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CPDQR24V-HF | DIODE ESD BIDIR 24V 1CH 0402 |
| CPDQR24V0U-HF | DIODE ESD UNIDIR 24V 1CH 0402 |
| CPDQR5V0C-HF | DIODE ESD BIDIR 5V 1CH 0402 |
| CPDQR5V0U-HF | DIODE ESD UNIDIR 5V 1CH 0402 |
| CPDT6-5V0U | DIODE ARRAY ESD 5CH 5V SOT23-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CPDQR12V0U-HF | 功能描述:ESD 抑制器 Bidir, 12V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 击穿电压:8 V 电容:45 pF 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作温度范围:- 40 C to + 85 C |
| CPDQR12V-HF | 功能描述:ESD 抑制器 Bidir,13V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 击穿电压:8 V 电容:45 pF 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作温度范围:- 40 C to + 85 C |
| CPDQR24V0U | 功能描述:ESD 抑制器 VR:24V,IZ:1mA,Unidir RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 击穿电压:8 V 电容:45 pF 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作温度范围:- 40 C to + 85 C |
| CPDQR24V0U-HF | 功能描述:ESD 抑制器 Bidir,24V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 击穿电压:8 V 电容:45 pF 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作温度范围:- 40 C to + 85 C |
| CPDQR24V-HF | 功能描述:ESD 抑制器 Bidir,25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 击穿电压:8 V 电容:45 pF 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作温度范围:- 40 C to + 85 C |
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