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参数资料
| 型号： | CPH5518 |
| 厂商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications |
| 中文描述： | 进步党/瑞展硅晶体管的大电流开关应用 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | CPH5518 |
CPH5518
No. A0492-3/5
IC -- VCE
-20mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
IC -- VBE
VCE= --2V
C
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
IC -- VBE
VCE=2V
C
IT01647
[PNP]
IT01649
IT01648
[NPN]
IT01650
2
10
--0.01
3
5
7
2
3
5
7
100
1000
hFE -- IC
D
Collector Current, IC -- A
fT -- IC
Ta=75
°
C
--25
°
C
VCE= --2V
25
°
C
hFE -- IC
D
Collector Current, IC -- A
fT -- IC
Ta=75
°
C
--25
°
C
VCE=2V
25
°
C
2
3
5
7
100
2
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2
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5
5
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G
Collector Current, IC -- A
2
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2
3
5
5
7
1000
2
0.01
3
5
7
100
G
Collector Current, IC -- A
2
3
5
7
2
3
5
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2
3
--0.1
--1.0
2
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2
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7
--0.01
--0.1
--1.0
2
3
5
7
0.1
2
3
3
5
7
1.0
2
VCE=10V
2
3
5
7
100
2
3
5
7
1000
10
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3
5
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0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
0.01
VCE= --10V
C
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
C
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
[PNP]
[NPN]
--1.0
--0.9
--0.8
--0.7
--0.6
--0.4
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--0.2
--0.1
0
--0.5
2
°
C
-
°
C
T
7
°
C
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
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0.4
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0.2
0.1
0
0
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0.4
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IT11415
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0
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[PNP]
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2
°
C
-
°
C
T
7
°
C
5A
--1.0
--0.8
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--0.7
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0
0
--0.2
--0.4
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--0.1
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--1.0
1.0
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0
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-30mA
-4mA
-0A
IB=0mA
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IT11440
IT11441
[PNP]
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--6mA
--10mA
2mA
4mA
6mA
8mA
10mA
2mA
3mA
4m
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| CPH5518-TL-H | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP+NPN 1A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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| CPH5520-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP+NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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