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参数资料
| 型号： | CPV363M4UPBF |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 电源模块 |
| 英文描述： | Trans IGBT Module N-CH 600V 11A 13-Pin IMS-2 |
| 中文描述： | IGBT Transistors 600 Volt 6.8 Amp |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 239K |
| 代理商： | CPV363M4UPBF |
CPV363M4UPbF
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Revision: 11-Jun-13
6
Document Number: 94486
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
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Fig. 11 - Typical Switching Losses vs.
Collector to Emitter Current
Fig. 12 - Turn-Off SOA
Fig. 13 - Maximum Forward Voltage Drop vs.
Instantaneous Forward Current
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
, Collector-to-emitter Current (A)
T
o
ta
lS
w
it
chi
n
g
Losses
(
m
J)
C
R
= 23
T
= 150 C
V
= 480V
V
= 15V
G
J
CC
GE
°
Ω
0.1
1
10
100
1
10
100
1000
V
= 20V
T
= 125 C
GE
J
o
V
, Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
,
C
o
ll
e
c
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-E
mi
tte
rC
u
rre
n
t(A
)
CE
C
SAFE OPERATING AREA
1
10
100
0.4
1.4
2.4
FM
F
Instan
tane
ous
Forw
ard
Current
-I
(A)
Forward Voltage Drop - V
(V)
T = 150°C
T = 125°C
T = 25°C
J
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