参数资料
型号: ALD114904APAL
厂商: Advanced Linear Devices Inc
文件页数: 8/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP
产品目录绘图: 8-Pin Plastic Dip Package
标准包装: 50
系列: EPAD®
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 耗尽模式
漏极至源极电压(Vdss): 10.6V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 12mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 500 欧姆 @ 3.6V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 380mV @ 1µA
功率 - 最大: 500mW
安装类型: 通孔
封装/外壳: 8-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装: 8-PDIP
包装: 管件
其它名称: 1014-1061
SOIC-16 PACKAGE DRAWING
16 Pin Plastic SOIC Package
E
Millimeters
Inches
Dim
Min
Max
Min
Max
S (45 ° )
A
A 1
b
C
D-16
1.35
0.10
0.35
0.18
9.80
1.75
0.25
0.45
0.25
10.00
0.053
0.004
0.014
0.007
0.385
0.069
0.010
0.018
0.010
0.394
D
E
e
3.50
4.05
1.27 BSC
0.140 0.160
0.050 BSC
H
L
5.70
0.60
6.30
0.937
0.224
0.024
0.248
0.037
A
?
0 °
8 °
0 °
8 °
e
A 1
S
0.25
0.50
0.010
0.020
b
S (45 ° )
L
H
C
?
ALD114804/ALD114804A/ALD114904/ALD114904A
Advanced Linear Devices
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PDF描述
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参数描述
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