- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18244 > IXFK52N30Q (IXYS)MOSFET N-CH 300V 52A TO-264AA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXFK52N30Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 52A TO-264AA |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 52A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFETs
Q-Class
N-Channel Enhancement Mode
IXFH 52N30Q
IXFK 52N30Q
IXFT 52N30Q
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
= 300 V
= 52 A
= 60 m W
￡ 250 ns
Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr
Low Gate Charge and Capacitances
Preliminary data
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD (IXFH)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M W
300
300
V
V
V GS
V GSM
I D25
I DM
I AR
E AR
E AS
Continuous
Transient
T C = 25 ° C, Chip capability
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
± 20
± 30
52
208
52
30
1.5
V
V
A
A
A
mJ
J
TO-268 (D3) ( IXFT)
(TAB)
dv/dt
I S ￡ I DM , di/dt ￡ 100 A/ m s, V DD ￡ V DSS ,
T J ￡ 150 ° C, R G = 2 W
5
V/ns
G
S
(TAB)
P D
T C = 25 ° C
360
W
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
TO-264 AA (IXFK)
T L
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
300
° C
M d
Weight
Mounting torque
TO-247
TO-264
TO-247
TO-264
1.13/10 Nm/lb.in.
0.9/6 Nm/lb.in.
6
g
10
g
G = Gate
S = Source
G
D
S
TAB = Drain
D (TAB)
TO-268
4
g
Features
? Low gate charge
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
? International standard packages
? Epoxy meet UL 94 V-0, flammability
classification
V DSS
V GS = 0 V, I D = 1 mA
300
V
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
2
4
± 200
50
1
V
nA
m A
mA
? Avalanche energy and current rated
? Fast intrinsic Rectifier
Advantages
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
60 m W
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
98522B (7/00)
1-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-PC535R-125 | OSC 125 MHZ 3.3V PECL SMD |
| B32563J3475K | FILM CAP 4.7UF 10% 250V |
| DC12.3102.003 | MOD PWR 4A STD FILTER 1PL QC PNL |
| FXO-PC535R-155.52 | OSC 155.52 MHZ 3.3V PECL SMD |
| B32231D8223K | FILM CAP 0.022UF 10% 630V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK52N60Q2 | 功能描述:MOSFET 52 Amps 600V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK52N60Q2_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class |
| IXFK55N50 | 功能描述:MOSFET 500V 55A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK55N50F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK60N25Q | 功能描述:MOSFET 60 Amps 250V 0.047 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。