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参数资料
| 型号： | CSD01060E-TR |
| 厂商： | Cree Inc |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 580K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 二极管类型： | 碳化硅肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 2.2A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.8V @ 1A |
| 速度： | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 0ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 600V |
| 电容@ Vr, F： | 80pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-2 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | Q5167212 |
2
CSD01060 Rev. P
Electrical Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Note
VF
Forward Voltage
1.6
2.0
1.8
2.4
V
IF
= 1 A T
J=25°C
IF
= 1 A T
J=175°C
IR
Reverse Current
20
40
100
500
μA
VR
= 600 V T
J=25°C
VR
= 600 V T
J=150°C
QC
Total Capacitive Charge
3.3
nC
VR
= 600 V, I
F
= 1 A
di/dt
= 500 A/
μs
TJ
= 25°C
C
Total Capacitance
80
11
8.5
pF
VR
= 0 V, T
J
= 25°C, f = 1 MHz
VR
= 200 V, T
J
= 25?C, f = 1 MHz
VR
= 400 V, T
J
= 25?C, f = 1 MHz
Note:
1.
This is a majority carrier diode, so there is no reverse recovery charge.
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Unit
RθJC
Thermal Resistance from Junction to Case
7
°C/W
RθJA
Thermal Resistance from Junction to Ambient
60
?C/W
Typical Performance
Figure 1. Forward Characteristics
Figure 2. Reverse Characteristics
000
101010
202020
303030
404040
505050
0
00
200 400 600 800 1000
200200
400400
600600
)
800800
10001000
VR VReverse Voltage (VR
Reverse Voltage (V)
VR
Reverse Voltage (V)
I
R
Reverse Current (
μ
A)
TTJ
= 25°C
J = 200°C
TJ
= 100°C
TJ
= 200°C
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
VF
Forward Voltage (V)
I
R
Reverse Current (
μ
A)
= 25°CT
J
25
°
C
= 100°CT
J
100
°
C
TJ
200
°
C
TJ
TJ
I
F
Forward Current (A)
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
T
TJ = 25°C
J = 50°C
T
J = 100°C
T
J = 150°C
I
R
Reverse Current (μA)
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