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参数资料
| 型号： | CSD01060E |
| 厂商： | Cree Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 580K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2 |
| 产品培训模块： | SiC Diodes in Inverter Modules SiC Schottky Diodes |
| 产品目录绘图： | Circuit and Pin Out |
| 标准包装： | 75 |
| 二极管类型： | 碳化硅肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 2.2A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.8V @ 1A |
| 速度： | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 0ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 600V |
| 电容@ Vr, F： | 80pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-2 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1574 (CN2011-ZH PDF) |
4
CSD01060 Rev. P
30.00030
25.00025
20.00020
15.00015
10.00010
5.0005
0.0000
Power Dissipation (W)
TC Case Temperature (°C)
25 50 75 100 125 150 175
25
50
75
100
125
150
175
Figure 6. Power Derating
Typical Performance
Diode Model
Note: Tj
= Diode Junction Temperature In Degrees Celsius
VT
RT
Diode Model CSD01060
Vf T
= V
T + If*RT
VT= 0.94 + (Tj
*
-1.2*10-3)-3
)
RT= 0.015 + (Tj
* 6.4*10
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| CSD02060G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 600V 2A TO263-2 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| CSD04060 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:ZERO RECOVERY RECTIFIER |
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