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参数资料
| 型号： | CSD823Y |
| 英文描述： | Optoelectronic |
| 中文描述： | 光电 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 491K |
| 代理商： | CSD823Y |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CSQ253G | Optoelectronic |
| CSQ253H | Optoelectronic |
| CSQ253R | Optoelectronic |
| CSQ253S | Optoelectronic |
| CSQ253Y | Optoelectronic |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CSD-823Y | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NUMERIC/ALPHANUMBERIC DISPLAY GENERAL INFORMATION |
| CSD83325L | 功能描述:MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）共漏 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:2.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-XFBGA 供应商器件封装:6 PicoStar 标准包装:1 |
| CSD83325LT | 功能描述:MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）共漏 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:2.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-XFBGA 供应商器件封装:6 PicoStar 标准包装:1 |
| CSD-833D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NUMERIC/ALPHANUMBERIC DISPLAY GENERAL INFORMATION |
| CSD-833E | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NUMERIC/ALPHANUMBERIC DISPLAY GENERAL INFORMATION |
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