- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录295375 > CY7C026AV Memory PDF资料下载
参数资料
| 型号： | CY7C026AV |
| 英文描述： | Memory |
| 中文描述： | 内存 |
| 文件页数： | 19/20页 |
| 文件大小： | 301K |
| 代理商： | CY7C026AV |
CY7C138AV/144AV/006AV
CY7C139AV/145AV/016AV
CY7C007AV/017AV
Document #: 38-06051 Rev. *A
Page 8 of 20
Data Retention Mode
The CY7C0138AV/144AV/006AV/007AV and CY7C139AV/
145AV/016AV/017AV are designed with battery backup in
mind. Data retention voltage and supply current are guaran-
teed over temperature. The following rules ensure data reten-
tion:
1. Chip enable (CE) must be held HIGH during data retention, with-
in VCC to VCC – 0.2V.
2. CE must be kept between VCC – 0.2V and 70% of VCC
during the power-up and power-down transitions.
3. The RAM can begin operation >tRC after VCC reaches the
minimum operating voltage (3.0 volts).
Notes:
22. tBDD is a calculated parameter and is the greater of tWDD–tPWE (actual) or tDDD–tSD (actual).
23. CE = VCC, Vin = GND to VCC, TA = 25°C. This parameter is guaranteed but not tested.
tWB
R/W HIGH after BUSY (Slave)
0
ns
tWH
R/W HIGH after BUSY HIGH (Slave)
15
17
ns
tBDD
[22]
BUSY HIGH to Data Valid
20
25
ns
INTERRUPT TIMING[21]
tINS
INT Set Time
20
ns
tINR
INT Reset Time
20
ns
SEMAPHORE TIMING
tSOP
SEM Flag Update Pulse (OE or SEM)
10
12
ns
tSWRD
SEM Flag Write to Read Time
5
ns
tSPS
SEM Flag Contention Window
5
ns
tSAA
SEM Address Access Time
20
25
ns
Switching Characteristics Over the Operating Range[15] (continued)
Parameter
Description
CY7C138AV/144AV/006AV
CY7C139AV/145AV/016AV
CY7C007AV/017AV
Unit
-20
-25
Min.
Max.
Min.
Max.
Timing
Parameter
Test Conditions[23]
Max.
Unit
ICCDR1
@ VCCDR = 2V
50
A
Data Retention Mode
3.0V
VCC > 2.0V
VCC to VCC – 0.2V
VCC
CE
tRC
V
IH
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C09089-12AC | x8 Dual-Port SRAM |
| CY7C09089-6AC | x8 Dual-Port SRAM |
| CY7C09089-7AC | x8 Dual-Port SRAM |
| CY7C09089-9AC | x8 Dual-Port SRAM |
| CY7C09089V | Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CY7C026AV-20AC | 制造商:CYPRESS 制造商全称:Cypress Semiconductor 功能描述:3.3V 4K/8K/16K x 16/18 Dual-Port Static RAM |
| CY7C026AV-20AXC | 功能描述:静态随机存取存储器 3.3V 16Kx16 COM Dual Port 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C026AV-20AXI | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 100LQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 |
| CY7C026AV-25AC | 功能描述:3.3V 16KX16 DUAL-PORT SRAM RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) |
| CY7C026AV-25ACKJ | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。