参数资料
型号: CY7C09189
英文描述: Memory
中文描述: 内存
文件页数: 5/20页
文件大小: 301K
代理商: CY7C09189
CY7C138AV/144AV/006AV
CY7C139AV/145AV/016AV
CY7C007AV/017AV
Document #: 38-06051 Rev. *A
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Note:
42. If tPS is violated, the busy signal will be asserted on one side or the other, but there is no guarantee to which side BUSY will be asserted.
Switching Waveforms (continued)
ADDRESS MATCH
tPS
tBLC
tBHC
ADDRESS MATCH
tPS
tBLC
tBHC
CER ValidFirst:
ADDRESS L,R
BUSYR
CEL
CER
BUSYL
CER
CE L
ADDRESS L,R
Busy Timing Diagram No. 1 (CE Arbitration)[42]
CELValid First:
ADDRESS MATCH
tPS
ADDRESS L
BUSY R
ADDRESS MISMATCH
tRC or tWC
tBLA
tBHA
ADDRESSR
ADDRESS MATCH
ADDRESS MISMATCH
tPS
ADDRESSL
BUSY L
tRC or tWC
tBLA
tBHA
ADDRESSR
Right Address Valid First:
Busy Timing Diagram No. 2 (Address Arbitration)[42]
Left Address Valid First
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CY7C09189V-12AC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C09189V-12AXC 功能描述:IC SRAM 576KBIT 12NS 100LQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA(8x13) 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2
CY7C09189V-6AXC 功能描述:IC SRAM 576KBIT 6.5NS 100LQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA(8x13) 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2
CY7C09199-9AC 功能描述:IC SRAM 1.152MBIT 67MHZ 100LQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?(单线) 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR)