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参数资料
| 型号： | CY7C09389V-9AC |
| 英文描述： | SYNC SRAM|64KX18|CMOS|QFP|100PIN|PLASTIC |
| 中文描述： | 同步静态存储器| 64KX18 |的CMOS | QFP封装| 100引脚|塑料 |
| 文件页数： | 1/20页 |
| 文件大小： | 301K |
| 代理商： | CY7C09389V-9AC |
3.3V 4K/8K/16K/32K x 8/9
Dual-Port Static RAM
CY7C138AV/144AV/006AV
CY7C139AV/145AV/016AV
CY7C007AV/017AV
Cypress Semiconductor Corporation
3901 North First Street
San Jose
CA 95134
408-943-2600
Document #: 38-06051 Rev. *A
Revised December 27, 2002
25/0251
Features
True Dual-Ported memory cells which allow simulta-
neous access of the same memory location
4K/8K/16K/32K x 8 organizations
(CY7C0138AV/144AV/006AV/007AV)
4K/8K/16K/32K x 9 organizations
(CY7C0139AV/145AV/016AV/017AV)
0.35-micron CMOS for optimum speed/power
High-speed access: 20/25 ns
Low operating power
— Active: ICC = 115 mA (typical)
— Standby: ISB3 = 10 A (typical)
Fully asynchronous operation
Automatic power-down
Expandable data bus to 16/18 bits or more using Master/
Slave chip select when using more than one device
On-chip arbitration logic
Semaphores included to permit software handshaking
between ports
INT flag for port-to-port communication
Pin select for Master or Slave
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Available in 68-pin PLCC (all) and 64-pin TQFP
(7C006AV & 7C144AV)
Pin-compatible and functionally equivalent to
IDT70V05, 70V06, and 70V07.
Notes:
1.
I/O0–I/O7 for x8 devices; I/O0–I/O8 for x9 devices.
2.
A0–A11 for 4K devices; A0–A12 for 8K devices; A0–A13 for 16K devices; A0–A14 for 32K devices;
3.
BUSY is an output in master mode and an input in slave mode.
I/O
Control
Address
Decode
A0L–A11–14L
CEL
OEL
R/WL
BUSYL
I/O
Control
Interrupt
Semaphore
Arbitration
SEML
INTL
M/S
A0L–A11–14L
True Dual-Ported
RAM Array
A0R–A11–14R
CER
OER
R/WR
BUSYR
SEMR
INTR
Address
Decode
A0R–A11–14R
[1]
[3]
R/WL
OEL
I/O0L–I/O7/8L
CEL
R/WR
OER
I/O0R–I/O7/8R
CER
12–15
8/9
12–15
8/9
12–15
[2]
Logic Block Diagram
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C09389V-9AI | x18 Dual-Port SRAM |
| CY7C09449PV | Memory |
| CY7C09569V | Memory |
| CY7C09569V-100AC | SYNC SRAM|16KX36|CMOS|QFP|144PIN|PLASTIC |
| CY7C1413BV18-250BZXI | 2M X 18 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CY7C09389V-9ACT | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 3.3V 1.125M-Bit 64K x 18 20ns/9ns 100-Pin TQFP T/R |
| CY7C09389V-9AI | 功能描述:IC SRAM 1MB SYNC 100-TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) |
| CY7C09389V-9AXC | 功能描述:静态随机存取存储器 3.3V 32Kx18 COM Sync Dual Port 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C09389V-9AXCT | 功能描述:IC SRAM 1.152MBIT 9NS 100LQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 |
| CY7C09389V-9AXI | 功能描述:静态随机存取存储器 3.3V 64Kx18 IND Sync Dual Port 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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