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参数资料
型号： CY7C106-12VC
英文描述： x4 SRAM
中文描述： x4的SRAM
文件页数： 5/9页
文件大小： 194K
代理商： CY7C106-12VC
CY7C1019B/
CY7C10191B
Document #: 38-05026 Rev. *A
Page 5 of 9
Write Cycle No. 1 (CE Controlled)[12, 13]
Write Cycle No. 2 (WE Controlled, OE HIGH During Write)[12, 13]
Notes:
12. Data I/O is high impedance if OE = VIH.
13. If CE goes HIGH simultaneously with WE going HIGH, the output remains in a high-impedance state.
14. During this period the I/Os are in the output state and input signals should not be applied.
Switching Waveforms (continued)
tWC
DATA VALID
tAW
tSA
tPWE
tHA
tHD
tSD
tSCE
CE
ADDRESS
WE
DATA I/O
tHD
tSD
tPWE
tSA
tHA
tAW
tSCE
tWC
tHZOE
DATAIN VALID
CE
ADDRESS
WE
DATA I/O
OE
NOTE 14
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