参数资料
型号: CY7C109-25ZI
英文描述: x8 SRAM
中文描述: x8的SRAM
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文件大小: 194K
代理商: CY7C109-25ZI
CY7C1019B/
CY7C10191B
Document #: 38-05026 Rev. *A
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Write Cycle No. 3 (WE Controlled, OE LOW)[13]
Switching Waveforms (continued)
DATA VALID
tHD
tSD
tLZWE
tPWE
tSA
tHA
tAW
tSCE
tWC
tHZWE
CE
ADDRESS
WE
DATA I/O
NOTE 14
Truth Table
CE
OE
WE
I/O0–I/O7
Mode
Power
H
X
High Z
Power-Down
Standby (ISB)
X
High Z
Power-Down
Standby (ISB)
L
H
Data Out
Read
Active (ICC)
L
X
L
Data In
Write
Active (ICC)
L
H
High Z
Selected, Outputs Disabled
Active (ICC)
Ordering Information
Speed
(ns)
Ordering Code
Package
Name
Package Type
Operating
Range
10
CY7C10191B-10VC
V33
32-Lead 400-Mil Molded SOJ
Commercial
12
CY7C1019B-12VC
V33
32-Lead 400-Mil Molded SOJ
Commercial
CY7C1019B-12ZC
ZS32
32-Lead TSOP Type II
Commercial
15
CY7C1019B-15VC
V33
32-Lead 400-Mil Molded SOJ
Commercial
CY7C1019B-15VI
V33
32-Lead 400-Mil Molded SOJ
Industrial
CY7C1019B-15ZC
ZS32
32-Lead TSOP Type II
Commercial
CY7C1019B-15ZI
ZS32
32-Lead TSOP Type II
Industrial
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CY7C109B-12ZXC 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA(8x13) 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2
CY7C109B-12ZXCT 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA(8x13) 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2