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参数资料
| 型号： | CY7C130-55FMB |
| 英文描述： | x8 Dual-Port SRAM |
| 中文描述： | x8双端口SRAM |
| 文件页数： | 9/9页 |
| 文件大小： | 194K |
| 代理商： | CY7C130-55FMB |
CY7C1019B/
CY7C10191B
Document #: 38-05026 Rev. *A
Page 9 of 9
Document Title: CY7C1019B/CY7C10191B 128K x 8 Static RAM
Document Number: 38-05026
REV.
ECN NO.
Issue Date
Orig. of Change
Description of Change
**
109949
09/25/01
SZV
Change from Spec number: 38-01115 to 38-05026
*A
116170
08/14/02
HGK
1. SOJ (400-mil) package outline replacing incorrect
SOJ package
2. Pin for pin compatible with CY7C1019
3. Industrial packages added to Ordering Information
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C130-55LC | x8 Dual-Port SRAM |
| CY7C130-55LMB | x8 Dual-Port SRAM |
| CY7C130-55PC | x8 Dual-Port SRAM |
| CY7C1305V25 | Memory |
| CY7C1306V25 | Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CY7C130-55PC | 功能描述:静态随机存取存储器 1K x 8 Dual-Port 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C1305BV25-167BZC | 功能描述:静态随机存取存储器 1Mx18 2.5V QDR 静态随机存取存储器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C1305BV25-167BZCT | 功能描述:静态随机存取存储器 1Mx18 2.5V QDR 静态随机存取存储器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C1305TC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1305TV25-167BZC | 功能描述:静态随机存取存储器 NV静态随机存取存储器 167 MHz 2.5V RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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