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参数资料
| 型号： | CY7C1302V25 |
| 英文描述： | Memory |
| 中文描述： | 内存 |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 194K |
| 代理商： | CY7C1302V25 |
CY7C1019B/
CY7C10191B
Document #: 38-05026 Rev. *A
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Write Cycle No. 1 (CE Controlled)[12, 13]
Write Cycle No. 2 (WE Controlled, OE HIGH During Write)[12, 13]
Notes:
12. Data I/O is high impedance if OE = VIH.
13. If CE goes HIGH simultaneously with WE going HIGH, the output remains in a high-impedance state.
14. During this period the I/Os are in the output state and input signals should not be applied.
Switching Waveforms (continued)
tWC
DATA VALID
tAW
tSA
tPWE
tHA
tHD
tSD
tSCE
CE
ADDRESS
WE
DATA I/O
tHD
tSD
tPWE
tSA
tHA
tAW
tSCE
tWC
tHZOE
DATAIN VALID
CE
ADDRESS
WE
DATA I/O
OE
NOTE 14
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| CY7C1303V25-133BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC SGL 2.5V 18MBIT 1MX18 3NS 165FBGA - Trays |
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