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参数资料
| 型号： | CY7C146-25LC |
| 英文描述： | x8 Dual-Port SRAM |
| 中文描述： | x8双端口SRAM |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 194K |
| 代理商： | CY7C146-25LC |
CY7C1019B/
CY7C10191B
Document #: 38-05026 Rev. *A
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Write Cycle No. 1 (CE Controlled)[12, 13]
Write Cycle No. 2 (WE Controlled, OE HIGH During Write)[12, 13]
Notes:
12. Data I/O is high impedance if OE = VIH.
13. If CE goes HIGH simultaneously with WE going HIGH, the output remains in a high-impedance state.
14. During this period the I/Os are in the output state and input signals should not be applied.
Switching Waveforms (continued)
tWC
DATA VALID
tAW
tSA
tPWE
tHA
tHD
tSD
tSCE
CE
ADDRESS
WE
DATA I/O
tHD
tSD
tPWE
tSA
tHA
tAW
tSCE
tWC
tHZOE
DATAIN VALID
CE
ADDRESS
WE
DATA I/O
OE
NOTE 14
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1462V25 | Memory |
| CY7C1462V33 | Memory |
| CY7C146-30LC | x8 Dual-Port SRAM |
| CY7C147-35LMB | x1 SRAM |
| CY7C147-45DMB | x1 SRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CY7C1462AV25-167BZI | 功能描述:静态随机存取存储器 36MB (2Mx18) 2.5v 167MHz 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C1462AV25-200AXC | 功能描述:静态随机存取存储器 2Mx18 2.5V NoBL PL 静态随机存取存储器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C1462AV25-200AXCT | 功能描述:静态随机存取存储器 2Mx18 2.5V NoBL PL 静态随机存取存储器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C1462AV25-250AXC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 2.5V 36M-Bit 2M x 18 2.6ns 100-Pin TQFP |
| CY7C1462AV33-167AXC | 功能描述:静态随机存取存储器 2Mx18 3.3V NoBL PL 静态随机存取存储器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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