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参数资料
| 型号： | CY7C1481V25-100BZI |
| 厂商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM |
| 中文描述： | 2M X 36 CACHE SRAM, 8.5 ns, PBGA165 |
| 封装： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-165 |
| 文件页数： | 22/30页 |
| 文件大小： | 1028K |
| 代理商： | CY7C1481V25-100BZI |
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CY7C1481V25
CY7C1483V25
CY7C1487V25
Document #: 38-05281 Rev. *H
Page 22 of 30
Timing Diagrams
Read Cycle Timing
[22]
tCYC
tCL
CLK
tADH
tADS
ADDRESS
tCH
tAH
tAS
A1
tCEH
tCES
Data Out (Q)
High-Z
tCLZ
tDOH
tCDV
tOEHZ
tCDV
Single READ
BURST
READ
tOEV
tOELZ
tCHZ
Burst wraps around
to its initial state
tADVH
tADVS
tWEH
tWES
tADH
tADS
Q(A2)
Q(A2 + 1)
Q(A2 + 2)
Q(A1)
Q(A2)
Q(A2 + 1)
Q(A2 + 2)
Q(A2 + 3)
A2
ADV suspends burst
Deselect Cycle
DON’T CARE
UNDEFINED
ADSP
ADSC
GW, BWE, BW
X
CE
ADV
OE
Note
22.On this diagram, when CE is LOW: CE
1
is LOW, CE
2
is HIGH and CE
3
is LOW. When CE is HIGH: CE
1
is HIGH or CE
2
is LOW or CE
3
is HIGH.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1481V25-100BZXC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM |
| CY7C1481V25-100BZXI | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CY7C1481V33-100AXI | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1482BV33-200BZI | 功能描述:静态随机存取存储器 72MB (4Mx18) 4.6v 200MHz 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C1482BV33-250BZI | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:2MX36, 3.3V SYNC PL SRAM - Bulk |
| CY7C148-35PC | 功能描述:1KX4 18-PIN POWER-DOWN SRAM RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) |
| CY7C148-45DC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:Static RAM, 1Kx4, 18 Pin, Ceramic, DIP |
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