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参数资料
| 型号： | CY7C1481V25-100BZXC |
| 厂商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM |
| 中文描述： | 2M X 36 CACHE SRAM, 8.5 ns, PBGA165 |
| 封装： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-165 |
| 文件页数： | 23/30页 |
| 文件大小： | 1028K |
| 代理商： | CY7C1481V25-100BZXC |
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CY7C1481V25
CY7C1483V25
CY7C1487V25
Document #: 38-05281 Rev. *H
Page 23 of 30
Write Cycle Timing
[22, 23]
1
Timing Diagrams
(continued)
tCYC
tCL
CLK
tADH
tADS
ADDRESS
tCH
tAH
tAS
A1
tCEH
tCES
High-Z
BURST READ
BURST WRITE
D(A2)
D(A2 + 1)
D(A2 + 1)
D(A1)
D(A3)
D(A3 + 1)
D(A3 + 2)
D(A2 + 3)
A2
A3
Extended BURST WRITE
D(A2 + 2)
Single WRITE
tADH
tADS
tADH
tADS
tOEHZ
tADVH
tADVS
tWEH
tWES
tDH
tDS
t
WEH
tWES
Byte write signals are ignored for first cycle when
ADSP initiates burst
ADSC extends burst
ADV suspends burst
DON’T CARE
UNDEFINED
ADSP
ADSC
BW
X
BWE,
GW
CE
ADV
OE
Data in (D)
Data Out (Q)
Note
23.Full width write can be initiated by either GW LOW; or by GW HIGH, BWE LOW and BW
X
LOW.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1481V25-100BZXI | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| CY7C1482BV33-250BZI | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:2MX36, 3.3V SYNC PL SRAM - Bulk |
| CY7C148-35PC | 功能描述:1KX4 18-PIN POWER-DOWN SRAM RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) |
| CY7C148-45DC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:Static RAM, 1Kx4, 18 Pin, Ceramic, DIP |
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