型号: | CY7C1481V25-133BZI |
厂商: | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | DRAM |
英文描述: | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM |
中文描述: | 2M X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
封装: | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-165 |
文件页数: | 30/30页 |
文件大小: | 1028K |
代理商: | CY7C1481V25-133BZI |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
CY7C1481V25-133BZXC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM |
CY7C1481V25-133BZXI | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM |
CY7C1483V25 | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM |
CY7C1483V25-100AXC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM |
CY7C1483V25-100AXI | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
CY7C1481V33-100AXI | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
CY7C1482BV33-200BZI | 功能描述:静态随机存取存储器 72MB (4Mx18) 4.6v 200MHz 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
CY7C1482BV33-250BZI | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:2MX36, 3.3V SYNC PL SRAM - Bulk |
CY7C148-35PC | 功能描述:1KX4 18-PIN POWER-DOWN SRAM RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) |
CY7C148-45DC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:Static RAM, 1Kx4, 18 Pin, Ceramic, DIP |