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参数资料
| 型号： | CY7C161-12VC |
| 英文描述： | x4 SRAM |
| 中文描述： | x4的SRAM |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 194K |
| 代理商： | CY7C161-12VC |
CY7C1019B/
CY7C10191B
Document #: 38-05026 Rev. *A
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Write Cycle No. 1 (CE Controlled)[12, 13]
Write Cycle No. 2 (WE Controlled, OE HIGH During Write)[12, 13]
Notes:
12. Data I/O is high impedance if OE = VIH.
13. If CE goes HIGH simultaneously with WE going HIGH, the output remains in a high-impedance state.
14. During this period the I/Os are in the output state and input signals should not be applied.
Switching Waveforms (continued)
tWC
DATA VALID
tAW
tSA
tPWE
tHA
tHD
tSD
tSCE
CE
ADDRESS
WE
DATA I/O
tHD
tSD
tPWE
tSA
tHA
tAW
tSCE
tWC
tHZOE
DATAIN VALID
CE
ADDRESS
WE
DATA I/O
OE
NOTE 14
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| CY7C1612KV18-250BZXI | 功能描述:静态随机存取存储器 144Mbit QDR II 静态随机存取存储器 2Word RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C1612KV18-300BZC | 功能描述:静态随机存取存储器 144Mb (8Mx18) QDR II QDR II + 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C1612KV18-300BZXC | 功能描述:静态随机存取存储器 144MB (8Mx18) QDR II 1.8V, 300MHz RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C1612KV18-300BZXCE | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:QDR-II; 144MB; 8MBX18; 300 MHZ; FBGA; 0 TO 70 C - Bulk |
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