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参数资料
| 型号： | CY7C162-45VC |
| 英文描述： | x4 SRAM |
| 中文描述： | x4的SRAM |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 194K |
| 代理商： | CY7C162-45VC |
CY7C1019B/
CY7C10191B
Document #: 38-05026 Rev. *A
Page 7 of 9
Package Diagrams
32-Lead (400-Mil) Molded SOJ V33
51-85033-A
51-85033-*B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C162A-12DMB | x4 SRAM |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CY7C1625KV18-250BZXC | 功能描述:静态随机存取存储器 144MB (16Mx9) QDR II 1.8V, 250MHz RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C1625KV18-250BZXI | 功能描述:静态随机存取存储器 144MB (16Mx9) QDR II 1.8V, 250MHz RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C1625KV18-300BZXC | 功能描述:静态随机存取存储器 144MB (16Mx9) QDR II 1.8V, 300MHz RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C1625KV18-333BZXC | 功能描述:静态随机存取存储器 CY7C1625KV18-333BZXC RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C1626KV18-333BZXC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
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