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参数资料
| 型号： | CY7C266-25WMB |
| 英文描述： | x8 EPROM |
| 中文描述： | x8存储器 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 208K |
| 代理商： | CY7C266-25WMB |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C266-35DC | x8 EPROM |
| CY7C266-35LMB | x8 EPROM |
| CY7C266-35WMB | x8 EPROM |
| CY7C266-45DC | x8 EPROM |
| CY7C266-45DMB | EPROM|8KX8|CMOS|DIP|28PIN|CERAMIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CY7C2663KV18-450BZI | 功能描述:静态随机存取存储器 CY7C2663KV18-450BZI RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C2663KV18-450BZXC | 功能描述:静态随机存取存储器 CY7C2663KV18-450BZXC RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C2663KV18-500BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:144-MBIT QDR? II+ SRAM 4-WORD BURST 8M X 18 165-BALL FBGA - Bulk |
| CY7C2663KV18-550BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM - Bulk |
| CY7C2663KV18-550BZI | 功能描述:静态随机存取存储器 CY7C2663KV18-550BZI RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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