DFE252012R-H-4R7M=P2全国供应商【买卖IC网】DFE252012R-H-4R7M=P2资料|PDF Datasheet|价格 Murata

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

DFE252012R-H-4R7M=P2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
6000
Murata Electronics North
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百正品

DFE252012R-H-4R7M=P2
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
1899
MURATA
NA
近两年
-
查价格、订购可到京北通宇商城www.jb...

DFE252012R-H-4R7M=P2
林沃田信息技术(深圳)有限公司
林沃田信息技术(深圳)有限公司
联系人：岳先生田小姐
电话：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田区福田街道福南社区深南中路 3037号南光捷佳大厦2906
资质：营业执照
7119
Murata Electronics North
FIXED IND 4.7UH 1.4A
22+
-

DFE252012R-H-4R7M=P2
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：张先生/雷小姐
电话：0755-8279802015814679726（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）
地址：华强街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
36890
MURATA
SMD
21+原厂授权
-
★原厂授权★价超代理★

DFE252012R-H-4R7M=P2
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
3748
Murata Electronics North
N/A
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

1/1页 40条/页共3条
1

您是不是要找： DFEG10040D-100M=P3 DFEG10040D-150M=P3 DFEG10040D-1R0M=P3 DFEG10040D-1R5M=P3 DFEG10040D-220M=P3 DFEG10040D-2R2M=P3 DFEG10040D-3R3M=P3 DFEG10040D-4R7M=P3 DFEG10040D-5R6M=P3

DFE252012R-H-4R7M=P2 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

DFE252012R-H-4R7M=P2 PDF下载

功能描述
4.7μH Shielded Wirewound Inductor 1.4A 216 mOhm Max
制造商
murata electronics north america
系列
DFE252012R
包装
*
零件状态
新产品
类型
绕线
材料 - 磁芯
铁粉
电感
4.7μH
容差
±20%
额定电流
1.4A
电流 - 饱和值
1.7A
屏蔽
屏蔽
DC 电阻（DCR）
216 毫欧最大
不同频率时的 Q 值
-
频率 - 自谐振
-
等级
-
工作温度
-40°C ~ 85°C
频率 - 测试
1MHz
安装类型
*
封装/外壳
*
大小/尺寸
*
高度 - 安装（最大值）
*
标准包装
1

DFE252012R-H-4R7M=P2 技术参数

DFE252012R-H-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 2A 90 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012R 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:2A 电流 - 饱和值:2.4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:90 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 DFE252012R-H-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 2.5A 65 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012R 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:1.5μH 容差:±20% 额定电流:2.5A 电流 - 饱和值:2.8A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:65 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 DFE252012R-H-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 3.1A 49 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012R 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:1μH 容差:±20% 额定电流:3.1A 电流 - 饱和值:3.4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:49 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 DFE252012P-R68M=P2 功能描述:680nH Shielded Wirewound Inductor 3.5A 37 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012P 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:680nH 容差:±20% 额定电流:3.5A 电流 - 饱和值:4.8A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:37 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 DFE252012P-R47M=P2 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 5.7A 27 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012P 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:470nH 容差:±20% 额定电流:5.7A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:27 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 DFEG10040D-6R8M=P3 DFEG10040D-8R2M=P3 DFEG12060D-100M=P3 DFEG12060D-150M=P3 DFEG12060D-1R0M=P3 DFEG12060D-1R5M=P3 DFEG12060D-220M=P3 DFEG12060D-2R2M=P3 DFEG12060D-3R3M=P3 DFEG12060D-4R7M=P3 DFEG12060D-5R6M=P3 DFEG12060D-6R8M=P3 DFEG12060D-8R2M=P3 DFEG7030D-100M=P3 DFEG7030D-150M=P3 DFEG7030D-1R0M=P3 DFEG7030D-1R5M=P3 DFEG7030D-220M=P3

发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

*型号	*数量	厂商	批号	封装

添加更多采购

我的联系方式

在采购DFE252012R-H-4R7M=P2进货过程中，您使用搜索有什么问题和建议？点此反馈

友情提醒：为规避购买DFE252012R-H-4R7M=P2产品风险，建议您在购买DFE252012R-H-4R7M=P2相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明：以上所展示的DFE252012R-H-4R7M=P2信息由会员自行提供，DFE252012R-H-4R7M=P2内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

DFE252012R-H-4R7M=P2

采购需求

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

我的联系方式