DFEG10040D-100M=P3

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说明
操作

DFEG10040D-100M=P3
汕头市潮南区海特旺电子贸易有限公司
汕头市潮南区海特旺电子贸易有限公司
联系人：陈先生
电话：0754-84492320
地址：广东省汕头市潮南区陈店镇溪口九斗花园旁
50000
MURATA
SMD
2020+
-
进口全新原装正品

DFEG10040D-100M=P3
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
6000
Murata Electronics North
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百正品

DFEG10040D-100M=P3
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
170
Murata Electronics North
N/A
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

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功能描述
10μH Shielded Inductor 5.7A 33 mOhm Max Nonstandard
制造商
murata electronics north america
系列
DFEG10040D
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
类型
-
材料 - 磁芯
铁粉
电感
10μH
容差
±20%
额定电流
5.7A
电流 - 饱和值
7.3A
屏蔽
屏蔽
DC 电阻（DCR）
33 毫欧最大
不同频率时的 Q 值
-
频率 - 自谐振
-
等级
AEC-Q200
工作温度
-40°C ~ 125°C
频率 - 测试
100MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
非标准
大小/尺寸
0.429" 长 x 0.394" 宽（10.90mm x 10.00mm）
高度 - 安装（最大值）
0.157"（4.00mm）
标准包装
1

DFEG10040D-100M=P3 技术参数

DFE252012R-H-4R7M=P2 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 1.4A 216 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012R 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:1.4A 电流 - 饱和值:1.7A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:216 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 DFE252012R-H-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 2A 90 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012R 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:2A 电流 - 饱和值:2.4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:90 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 DFE252012R-H-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 2.5A 65 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012R 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:1.5μH 容差:±20% 额定电流:2.5A 电流 - 饱和值:2.8A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:65 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 DFE252012R-H-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 3.1A 49 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012R 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:1μH 容差:±20% 额定电流:3.1A 电流 - 饱和值:3.4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:49 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 DFE252012P-R68M=P2 功能描述:680nH Shielded Wirewound Inductor 3.5A 37 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012P 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:680nH 容差:±20% 额定电流:3.5A 电流 - 饱和值:4.8A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:37 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 DFEG10040D-8R2M=P3 DFEG12060D-100M=P3 DFEG12060D-150M=P3 DFEG12060D-1R0M=P3 DFEG12060D-1R5M=P3 DFEG12060D-220M=P3 DFEG12060D-2R2M=P3 DFEG12060D-3R3M=P3 DFEG12060D-4R7M=P3 DFEG12060D-5R6M=P3 DFEG12060D-6R8M=P3 DFEG12060D-8R2M=P3 DFEG7030D-100M=P3 DFEG7030D-150M=P3 DFEG7030D-1R0M=P3 DFEG7030D-1R5M=P3 DFEG7030D-220M=P3 DFEG7030D-2R2M=P3