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参数资料
| 型号： | D45C11 |
| 厂商： | Boca Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | 互补性的芯片功率晶体管 |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 148K |
| 代理商： | D45C11 |
A
Boca Semiconductor Corp.
BSC
http://www.bocasemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| D45C12 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| D45C2 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| D45C3 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| D45C4 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| D45C5 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| D45C11_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Current Driver Transistor |
| D45C12 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 4A 80V 30W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| D45C12G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 4A 80V 30W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| D45C12G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:RF BIPOLAR TRANSISTOR |
| D45C2 | 制造商:Solid State Devices Inc (SSDI) 功能描述:TO 220 4 Amp Silicon Transistor 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
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