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参数资料
| 型号： | DA227YT2R |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 334K |
| 描述： | DIODE SWITCH 80V 100MA 4EMD |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.2V @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 70V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 100mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 80V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 2 个独立式 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-75-4，EMD4 |
| 供应商设备封装： | EMD4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DA227YT2RDKR |
Data Sheet
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Switching Diode
DA227Y
?Applications
?Dimensions (Unit : mm) ?Land size figure (Unit : mm)
Ultra high speed switching
?Features
1) Ultra small mold type. (EMD4)
2) High reliability.
?Structure
?Construction
Silicon epitaxial planar
?Taping specifications (Unit : mm)
?Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Symbol UnitLimits
VRM
V
VR
V
IFM
mA
Io mA100
Isurge
A
Power dissipation (*1) 150Pd mW/Total
Junction temperature 150Tj °C
Tstg °C?55 to ?150
f MHz100
(*1) Pd=120mW when only 1 circuit is operating.
CONDITION = Each terminal mounted on a recommended land pattern. (0.35x0.9mm)
?Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Symbol Min. Typ. Max. Unit
VF
- - 1.2 V
IF=100mA
IR
- - 0.1
μA
VR=70V
Ct - - 3.5 pF
VR=6V , f=1MHz
trr - - 4 ns
VR=6V , IF=5mA , RL=50?
Capacitance between terminals
Reverse recovery time
Conditions
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Storage temperature
Rated in slash put frequency
Average rectified forward current (Single)
Surge current (t=1us) (Single)
4
Reverse voltage (DC)
80
Forward current (Single)
300
Parameter
Reverse voltage (repetitive peak)
80
ROHM : EMD4
JEITA : SC-75A Size
dot (year week factory)
0.13±0.05
0.5±0.05
0～0.1
(1)
(2)
(4)
(3)
0.5
0.5
1.0±0.1
0.22±0.05
1.6±0.1
1.2±0.1
1.6±0.1
1.7±0.051.65±0.1
4.0±0.1
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.5±0.1
0
3.5±0.05
1.75±0.1
8.0±0.2
φ0.8±0.1
5.5±0.2
1.65±0.1
0.65±0.1
0.3±0.1
0～0.1
1PIN
1.65±0.01
0.5
0.45
1.0
1.55
EMD4
1/2
2011.06 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| DA56-11GWA | .56" DUAL GRN.LED DISPLAY |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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