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参数资料
| 型号： | DA3J101A |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE |
| 封装： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2-B, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 472K |
| 代理商： | DA3J101A |
Ver. BED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
Publication date: March 2010
1
DA3J101A
Silicon epitaxial planar type
For high speed switching circuits
DA3X101A in SMini3 type package
Features
Small reverse current IR
Short reverse recovery time trr
Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.
Eco-friendly Halogen-free package
Packaging
Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage
VR
80
V
Maximum peak reverse voltage
VRM
80
V
Forward current
IF
100
mA
Peak forward current
IFM
225
mA
Non-repetitive peak forward surge current *
IFSM
500
mA
Junction temperature
Tj
150
°
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°
C
Note) *: 1 t = 1 s
Electrical Characteristics Ta = 25°C±3°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Forward voltage
VF
IF = 100 mA
0.92
1.20
V
Reverse voltage
VR
IR = 100 A
80
V
Reverse current
IR
VR = 80 V
100
nA
Terminal capacitance
Ct
VR = 0 V, f = 1 MHz
1.2
pF
Reverse recovery time *
trr
IF = 10 mA, VR = 6 V, Irr = 0.25 × IR
3
ns
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
2. Absolute frequency of input and output is 100 MHz
3. *: trr measurement circuit
90%
tp = 2 s
tr = 0.35 ns
δ =
0.05
10%
tr
tp
trr
VR
IF
t
A
Bias Application Unit (N-50BU)
Pulse Generator
(PG-10N)
Rs = 50
Wave Form Analyzer
(SAS-8130)
Ri = 50
Input Pulse
Output Pulse
IF = 10 mA
VR = 6 V
Irr = 0.25 × IR
Package
Code
SMini3-F2-B
Pin Name
1: Cathode
2: N.C.
3: Anode
Marking Symbol: 20
Internal Connection
1
2
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DA3J102D | SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE |
| DA3J103E | SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE |
| DA3X101A | SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE |
| DA3X101K | SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE |
| DA6/12 | 1.38 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DA3J101A0L | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SWITCH DIODE FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DA3J101F0L | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SWITCH DIODE FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DA3J101J0L | 制造商:Panasonic Industrial Devices 功能描述:DIODE SWITCHING SC85 |
| DA3J101K0L | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SWITCH DIODE FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DA3J102D0L | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SWITCH DIODE FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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