参数资料
型号: DAP222T1
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/5页
文件大小: 59K
描述: DIODE SWITCH DUAL CA 80V SOT416
产品变化通告: Discontinuation 30/Jun/2006
标准包装: 3,000
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.2V @ 100mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100nA @ 70V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 100mA(DC)
电压 - (Vr)(最大): 80V
反向恢复时间(trr): 10ns
二极管类型: 标准
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
二极管配置: 1 对共阳极
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-75,SOT-416
供应商设备封装: SC-75,SOT-416
包装: 带卷 (TR)
其它名称: DAP222T1OS
DAP222, DAP202U
http://onsemi.com
3
A
RL
tr
tp
t
10%
90%
VR
tp
= 2
s
tr
= 0.35 ns
IF
trr
t
Irr
= 0.1 I
R
IF
= 5.0 mA
VR
= 6 V
RL
= 100
RECOVERY TIME EQUIVALENT TEST CIRCUIT
INPUT PULSE OUTPUT PULSE
Figure 4. Reverse Recovery Time Test Circuit for the DAP222
A
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VR
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= 2
s
tr
= 0.35 ns
IF
trr
t
Irr
= 0.1 I
R
IF
= 5.0 mA
VR
= 6 V
RL
= 100
RECOVERY TIME EQUIVALENT TEST CIRCUIT
INPUT PULSE OUTPUT PULSE
Figure 5. Reverse Recovery Time Test Circuit for the DAP202U
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
DAP222T1G 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 80V 100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
DAP222TL 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 SWITCH 80V 100MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
DAP222WM 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Switching Diode
DAP222WMTL 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 Diode Switching 80V 0.1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
DAP-2360/E 制造商:D-Link Networks 功能描述: