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参数资料
| 型号： | DAP236UT106 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 341K |
| 描述： | DIODE SWITCH BAND 35V 3EMD TR |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 - 1 对共阳极 |
| 电压 - 峰值反向(最大)： | 35V |
| 电容@ Vr, F： | 1.2pF @ 6V，1MHz |
| 电阻@ Vr, F： | 900 毫欧 @ 2mA，100MHz |
| 功率耗散（最大）： | 150mW |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | UMD3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DAP236UT106DKR |
Data Sheet
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Band Switching Diode
DAP236U
?Applications
?Dimensions (Unit : mm) ?Land size figure (Unit : mm)
High frequency switching
?Features
1)Ultra small mold type. (UMD3)
2)High reliability
?Construction
Silicon epitaxial planar
?Structure
?Taping specifications (Unit : mm)
?Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter LimitsSymbol Unit
Power dissipation 150Pd mW
Reverse voltage (DC) 35VR
V
Junction temperature 125Tj °C
Tstg °C?55 to ?125
?Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Symbol Min. Typ. Max. Unit
Conditions
Forward voltage
VF
- - 1.0 V
IF=10mA
Reverse current
IR
- - 10 nA
VR=25V
Ct - - 1.2 pF
VR=6V , f=1MHz
Forward operating resistance rf - - 0.9
?
IF=2mA , f=100MHz
Parameter
Capacitance between terminals
Storage temperature
UMD3
0.9MIN.
1.6
0.65
1.3
0.8MIN
4.0±0.1
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.05
3.5±0.05
1.75±0.1
8.0±0.2
φ0.5±0.05
2.4±0.1
2.25±0.1
0
5.5±0.2
1.25±0.1
2.4±0.1
0.3±0.1
0～0.1
ROHM : UMD3
JEDEC : SOT-323
JEITA : SC-70
dot (year week factory)
2.0±0.2
2.1±0.1
1.25±0.1
0.3±0.1
各リードともEach lead has same dimension
同寸法
(3)
1.3±0.1
（0.65）
（0.65）
(2)
(1)
0.15±0.05
0.9±0.1
0.7±0.1
0.1Min
0～0.1
1/3
2011.06 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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