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参数资料
| 型号： | DBFZ1200R33KF2C20 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模块 |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 155K |
| 代理商： | DBFZ1200R33KF2C20 |
vorlufige Daten
preliminary data
Technische Information / technical information
FZ1200R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
min.
typ.
max.
R
thJC
-
-
0,022
K/W
R
thJC
-
-
0,040
K/W
mm
20
32
Kriechstrecke
creepage distance
Luftstrecke
clearance
maximum junction temperature
T
vj op
-40
-
°C
150
-
-
Schraube /screw M5
Anschlüsse / terminal M4
mm
M
comperative tracking index
Anschlüsse / terminal M8
CTI
storage temperature
Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
M
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid
with the belonging technical notes.
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Nm
Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung
mounting torque
Nm
8
-
10
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
125
°C
°C
T
stg
-40
-
125
case, see appendix
Lagertemperatur
Thermische Eigenschaften / thermal properties
thermal resistance, case to heatsink
Hchstzulssige Sperrschichttemp.
T
vj max
Betriebstemperatur
operation temperature
Al
2
O
3
-
M
-
5,75
>400
4,25
1,7
g
weight
2,3
Nm
G
1500
Gewicht
R
thCK
pro Modul / per module
Paste
/
grease
=1W/m*K
übergangs Wrmewiderstand
internal insulation
Gehuse, siehe Anlage
Innere Isolation
pro Diode/per Diode, DC
thermal resistance, junction to case
Innerer Wrmewiderstand
pro Transistor /per transistor, DC
K/W
-
0,006
-
3 (8)
DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls
2002-07-29
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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