Technische Information / technical information
FZ3600R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
preliminary data
vorlufige Daten
min.
typ.
max.
R
thJC
-
-
0,0084
K/W
R
thJC
-
-
0,014
K/W
K/W
-
0,004
-
Schraube / screw M5
internal insulation
CTI
comperative tracking index
creepage distance
Luftstrecke
clearance
pro Diode / per Diode, DC
thermal resistance, junction to case
Innerer Wrmewiderstand
pro Transistor / per transistor, DC
übergangs Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
R
thCK
pro Modul / per module
Paste
/
grease
=1W/m*K
g
weight
2,3
Nm
G
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
2250
Gewicht
M
-
Anschlüsse / terminal M4
Anschlüsse / terminal M8
5,75
>400
4,25
-
Al
2
O
3
Innere Isolation
Thermische Eigenschaften / thermal properties
Hchstzulssige Sperrschichttemp.
maximum junction temperature
T
vj max
Betriebstemperatur
operation temperature
°C
150
-
-
-40
-
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften
zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
125
°C
°C
T
stg
-40
-
125
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with
the belonging technical notes.
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Nm
Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung
mounting torque
Nm
8
-
10
1,7
T
vj op
terminal connection torque
M
storage temperature
Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse
M
Lagertemperatur
Kriechstrecke
32
mm
mm
20
3 (8)
DB_FZ3600R12KE3_2.0.xls
2002-07-29