型号: | DD-A |
厂商: | ITT CANNON |
元件分类: | D-微型连接器 |
英文描述: | FEMALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 46K |
代理商: | DD-A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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DDA | MALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR |
DA09S600T | 9 CONTACT(S), FEMALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, WIRE WRAP |
DA15S600T | 15 CONTACT(S), FEMALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, WIRE WRAP |
DA25S600T | 25 CONTACT(S), FEMALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, WIRE WRAP |
DA37S600T | 37 CONTACT(S), FEMALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, WIRE WRAP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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DDA113TU | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-363 DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
DDA113TU-7 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 200MW 1K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
DDA113TU-7-F | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 200MW 1K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
DDA114EH | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-563 DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
DDA114EH-7 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 150MW 10K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |