型号: | DDA010-233G |
厂商: | ADVANCED INTERCONNECTIONS CORP |
元件分类: | 插座 |
英文描述: | DIP20, IC SOCKET |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 177K |
代理商: | DDA010-233G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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DDA010-252G | DIP20, IC SOCKET |
DDA010-252T | DIP20, IC SOCKET |
DDA020-252G | DIP40, IC SOCKET |
DDA020-253G | DIP40, IC SOCKET |
DDA030-233G | DIP60, IC SOCKET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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DDA113TU | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-363 DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
DDA113TU-7 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 200MW 1K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
DDA113TU-7-F | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 200MW 1K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
DDA114EH | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-563 DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
DDA114EH-7 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 150MW 10K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |