型号: | DDTA113TCA-7-F |
厂商: | DIODES INC |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-23 SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
中文描述: | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
文件页数: | 4/4页 |
文件大小: | 440K |
代理商: | DDTA113TCA-7-F |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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DDTA114TCA-7-F | PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-23 SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
DDTA115TCA-7-F | PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-23 SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
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DDTA125TCA-7-F | PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-23 SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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DDTA113TE | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-523 DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
DDTA113TE_1 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-523 SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
DDTA113TE_2 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
DDTA113TE-7 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 150MW 1KW RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
DDTA113TE-7-F | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 150MW 1K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |