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参数资料
| 型号： | DDTA115TCA-7-F |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-23 SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 440K |
| 代理商： | DDTA115TCA-7-F |
DS30335 Rev. 5 - 2
3 of 4
DDTA (R1-ONLY SERIES) CA
www.diodes.com
C
U
D
O
R
P
W
E
N
1
1
10
0
10
20
30
40
50
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 6 Input Voltage vs. Collector Current
V = 0.2
O
V , INPUT VOLTAGE (V)
in
-25°C
25°C
75
°
C
0.01
0.1
1
10
100
0
1
2
3
4
8
9
10
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
V , INPUT VOLTAGE (V)
in
Fig. 5 Collector Current Vs. Input Voltage
-25°C
5
6
7
75°C
25°C
0.001
0
6
12
0
20
30
C
, CAPACITANCE (pF)
OB
V , REVERSE BIAS VOLTAGE (V)
R
Fig. 4 Output Capacitance
10
5
15
25
10
8
4
2
I = 0V
E
10
1000
100
1
1
10
100
h
, DC CURRENT GAIN (NORMALIZED)
FE
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 3 DC Current Gain
V
= 10
CE
75
°
C
-25
°
C
25
°
C
0.001
0.01
0.1
1
0
10
20
30
40
50
V
, MAXIMUM COLLECTOR VOLTAGE (V)
CE(SAT)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 2 V
vs. I
CE(SAT)
C
I /I = 10
C B
-25
°
C
25
°
C
75
°
C
-50
0
50
100
150
250
200
150
50
100
0
T , AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
A
Fig. 1 Derating Curve
P , POWER DISSIPATION (MILLIWATTS)
D
TYPICAL CURVES - DDTA114TCA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DDTA123TCA-7-F | PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-23 SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| DDTA124TCA-7-F | PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-23 SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| DDTA125TCA-7-F | PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-23 SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| DDTA143TCA-7-F | PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-23 SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| DDTB142JU-7 | Silver Mica Capacitor; Capacitance:62pF; Capacitance Tolerance:+/- 5%; Series:CD17; Voltage Rating:500VDC; Capacitor Dielectric Material:Mica; Termination:Radial Leaded; Lead Pitch:5.9mm; Leaded Process Compatible:No RoHS Compliant: No |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DDTA115TE | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-523 DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| DDTA115TE-7 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 150MW 100KW RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| DDTA115TE-7-F | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 150MW 100K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| DDTA115TKA | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| DDTA115TKA-7 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 200MW 100KW RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
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