型号: | DDTA125TCA-7-F |
厂商: | DIODES INC |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-23 SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
中文描述: | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
文件页数: | 4/4页 |
文件大小: | 440K |
代理商: | DDTA125TCA-7-F |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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DDTA143TCA-7-F | PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-23 SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
DDTB142JU-7 | Silver Mica Capacitor; Capacitance:62pF; Capacitance Tolerance:+/- 5%; Series:CD17; Voltage Rating:500VDC; Capacitor Dielectric Material:Mica; Termination:Radial Leaded; Lead Pitch:5.9mm; Leaded Process Compatible:No RoHS Compliant: No |
DDTB(LO-R1)U | PNP PRE-BIASED 500 mA SOT-323 SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
DDTB122LU | PNP PRE-BIASED 500 mA SOT-323 SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
DDTB122TU | CAP,ELEC,25V,20%,SMT,VA,10UF |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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DDTA125TE | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-523 SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
DDTA125TE-7 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 150MW 200KW RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
DDTA125TE-7-F | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 150MW 200K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
DDTA125TKA | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
DDTA125TKA-7 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 200MW 200KW RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |