参数资料
型号: DDTB122TU
厂商: Diodes Inc.
英文描述: CAP,ELEC,25V,20%,SMT,VA,10UF
中文描述: 进步党预偏置500毫安的SOT - 323表面贴装晶体管
文件页数: 3/3页
文件大小: 70K
代理商: DDTB122TU
DS30400 Rev. 2 - 2
3 of 3
DDTB (LO-R1) U
www.diodes.com
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Fig. 1 Power Derating Curve
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PDF描述
DDTB142JU PNP PRE-BIASED 500 mA SOT-323 SURFACE MOUNT TRANSISTOR
DDTB142TU PNP PRE-BIASED 500 mA SOT-323 SURFACE MOUNT TRANSISTOR
DDTB142TU-7 PNP PRE-BIASED 500 mA SOT-323 SURFACE MOUNT TRANSISTOR
DDTB122LU-7 Aluminum Electrolytic Capacitor; Capacitor Type:Computer Grade; Voltage Rating:75VDC; Capacitor Dielectric Material:Aluminum Electrolytic; Operating Temperature Range:-40 C to +85 C; Capacitance:27000uF RoHS Compliant: Yes
DDTB122TU-7 PNP PRE-BIASED 500 mA SOT-323 SURFACE MOUNT TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
DDTB122TU-7 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 200MW 0.22K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
DDTB122TU-7-F 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 200MW 0.22K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
DDTB123EC 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:PNP PRE-BIASED 500 mA SOT-23 SURFACE MOUNT TRANSISTOR
DDTB123EC-7 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 200MW 2.2KW 2.2KW RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
DDTB123EC-7-F 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 200MW 2.2K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel