型号: | DDTB142JU |
厂商: | Diodes Inc. |
英文描述: | PNP PRE-BIASED 500 mA SOT-323 SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
中文描述: | 进步党预偏置500毫安的SOT - 323表面贴装晶体管 |
文件页数: | 2/3页 |
文件大小: | 70K |
代理商: | DDTB142JU |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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DDTB142TU | PNP PRE-BIASED 500 mA SOT-323 SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
DDTB142TU-7 | PNP PRE-BIASED 500 mA SOT-323 SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
DDTB122LU-7 | Aluminum Electrolytic Capacitor; Capacitor Type:Computer Grade; Voltage Rating:75VDC; Capacitor Dielectric Material:Aluminum Electrolytic; Operating Temperature Range:-40 C to +85 C; Capacitance:27000uF RoHS Compliant: Yes |
DDTB122TU-7 | PNP PRE-BIASED 500 mA SOT-323 SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
DDTC124XE-7 | NPN PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-523 SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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DDTB142JU-7 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 200MW 0.47K 10K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
DDTB142JU-7-F | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 200MW 0.47K 10K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
DDTB142TC | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:PNP PRE-BIASED 500 mA SOT-23 SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
DDTB142TC-7 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 PRE-BIAS PNP 500mW RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
DDTB142TC-7-F | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 PRE-BIAS PNP 500mW RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |